高真空三温区CVD系统OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成的CVD系统，其炉管直径为4″，Z高温度可达1200℃，极限真空可达 10-5 torr，混气系统可对1-9种气体进行精确的混合，然后导入管式炉内部，可用来研究气体环境对材料的影响。

带滑动法兰三温区CVD系统OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加热至1200℃，并通过调整三个温区而建立不同梯度的热场，可进行退火、扩散、在不同气氛中烧结样品及CVD等实验。

4路质子混气管式PECVD系统是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，环境温度在100-300℃，但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化，从而大大提高了反应物的活性，这些具有反应活性的中性物质很容易被吸附到较次温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜，因此这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。

1700℃单温区三通道混气CVD系统GSL-1700X-F3LV是由单温区管式炉、三路浮子混气系统和双旋片式真空泵组成，Z高工作温度可达1700℃，混气系统可以对三种气体进行精确的混气，真空度可达5×10-2 torr。

1700℃两通道混气高真空CVD系统GSL-1700X-4-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气系统和高真空机组组成，Z高工作温度可达1600℃，混气系统可以对两种气体进行精确的混气，然后导入管式炉内部，本系统极限真空度可达10-5 torr。

该系统为球形脉冲激光沉积系统（PLD）工艺研发设备。脉冲激光沉积 （Pulsed laser deposition, PLD），就是将激光聚焦于靶材上一个较小的面积，利用激光的高能量密度将部分靶材料蒸发甚至电离，使其能够脱离靶材而向基底运动，进而在基底上沉积，从而形成薄膜的一种方式。