1600℃真空高温管式炉GSL-1600X加热元件采用1700℃级硅钼棒，广泛用于真空或惰性气体保护状态下，新材料样品的烧结或退火。

1600℃真空高温管式炉GSL-1600X-S加热元件采用1750℃级硅钼棒，广泛用于真空或惰性气体保护状态下，新材料样品的烧结或退火。

1600℃双温区高温真空管式炉GSL-1600X-Ⅱ每个加热区域长300mm，由30段智能温度调节仪进行控温，采用硅钼棒加热元件温度可达1600℃，采用硅碳棒加热元件温度可达1400℃，通过调节两个温区的控温程序使炉管内温度场形成一温度梯度。本机可用于CVD或PVD方法来生长纳米材料和制作各种薄膜。

1600℃三温区高温真空管式炉GSL-1600X-III主要用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验或小批量生产，针对电子陶瓷的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（CVD）等工艺。

1700℃高温真空气氛管式炉GSL-1700X采用1800℃级硅钼棒为加热元件，Z高温度可达到1700℃，可广泛地用于真空或惰性气体保护状态下材料的烧结和退火。

1700℃真空管式炉GSL-1700X-S采用30段程控PID控温仪，Z高温度可达到1700℃，可广泛地用于真空或惰性气体保护状态下材料的烧结和退火。