1700℃真空高温管式炉GSL-1700X-S60采用1800℃级硅钼棒为加热元件，Z高温度可达到1700℃，可广泛地用于真空或惰性气体保护状态下材料的烧结和退火。

1700℃双温区高温真空管式炉GSL-1700X-Ⅱ每个温区长300mm，由30段智能温度调节仪进行控温，采用硅钼棒加热元件温度可达1700℃，采用硅碳棒加热元件温度可达1400℃，通过调节两个温区的控温程序使炉管内温度场形成一温度梯度。本机可用于CVD或PVD方法来生长纳米材料和制作各种薄膜。

1700℃三温区高温真空管式炉GSL-1700X-Ⅲ采用三个数字温度控制器进行独立控温，可设置30段升降温程序，中心加热区采用800℃级硅钼棒加热，另外两个温区采用硅碳棒进行加热，调整三个温区的温度，可形成一个温度梯度，进行功能材料的制备。同时，本机也适用于CVD法制作薄膜外延生长。

1700℃立式高温管式炉GSL-1700X-80VT采用硅钼棒进行加热，Z高温度可以达到1700℃，专门针对于材料在真空或气氛保护环境下的烧结。温控系统采用PID控制器，可设置30段升降温程序，控温精度为± 1℃。